核心性能优势

典型应用场景

供应链与量产情况

该系列材料是HD MicroSystems的经典量产型号，国内半导体产线已有多年规模化采购记录，常规包装为1.0kg/瓶，华东地区有授权代理商提供原厂原包现货，如东莞市天之鸿塑化有限公司 常规交期1~2个月，可提供完整的COA、MSDS等合规资质文件。

PIX-1400/PIX-3400在功率器件领域的应用完全依托其高自粘性、宽厚度覆盖、高可靠性的核心特性，在多类主流功率器件中已有成熟量产落地案例，是工业级功率器件封装的经典非光敏PI材料。

工业级IGBT功率模块钝化保护层
在650V~1700V工业级IGBT芯片表面，作为最终钝化层上方的应力缓冲保护层，成膜厚度控制在5~10μm。凭借对Al金属电极、SiN钝化层的超高原生附着力，经过1000小时PCT高压加速老化测试后无分层、无脱落，可有效阻挡水汽和钠离子侵入芯片内部，大幅提升IGBT模块在工业变频器、伺服驱动器场景下的长期工作寿命，是国内多家头部IGBT厂商的成熟量产选择。

车规级超结MOSFET应力缓冲层
在40V~650V车规级超结MOSFET器件中，作为芯片与塑封料之间的应力缓冲层，成膜厚度3~8μm。其热膨胀系数与硅基底匹配性优异，可有效吸收车规级器件在-55℃~175℃ 温度循环工况下的热失配应力，避免金属布线层出现裂纹，帮助器件顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证，广泛应用于车载BMS电源管理、车载照明等场景。





高压SiC二极管绝缘介质层
在1200V SiC SBD肖特基二极管中，作为终端结构的绝缘介质层，成膜厚度4~6μm。无需额外底涂即可直接附着在SiC外延层表面，湿法刻蚀工艺可精准制备出终端保护环的图形结构，完全兼容SiC器件的300℃以上高温后制程，有效提升高压SiC二极管的反向击穿电压稳定性，降低器件漏电流水平。

大功率IPM智能功率模块封装
在工业级IPM智能功率模块中，作为多芯片互连之间的绝缘缓冲层，成膜厚度8~12μm。宽厚度覆盖能力可一次性填平多芯片之间的大高度台阶，无需多次重复涂布，大幅简化IPM模块的封装制程，同时高绝缘特性可避免不同功率芯片之间出现高压爬电，广泛应用于变频家电、工业电机驱动等场景。

低压沟槽MOSFET晶圆级封装
在20V~100V低压沟槽MOSFET的晶圆级封装制程中，作为铜重分布层的绝缘保护层，成膜厚度1.5~3μm。超薄成膜特性完全适配低压MOSFET的薄型化封装需求，优异的介电性能可有效保护精细铜布线不受后续制程腐蚀，大幅提升低压MOSFET的长期可靠性，是消费类电源管理芯片的主流选择。

PIX-1400/PIX-3400在通用半导体、先进封装、特种工业等领域还有大量成熟量产应用案例，完全依托其高自粘性、宽厚度覆盖、高可靠性的核心特性落地：

通用逻辑与存储芯片领域
成熟制程MCU芯片最终钝化保护层：在8英寸成熟制程通用MCU芯片表面，作为SiN无机钝化层上方的有机应力缓冲层，成膜厚

度3~5μm。凭借对SiN层的超高原生附着力，可有效阻挡水汽和钠离子侵入芯片内部，大幅提升消费级MCU在长期工业环境下的

工作稳定性，是国内多家头部MCU厂商的量产标配材料。
NOR Flash存储芯片绝缘保护层：在车规级NOR Flash芯片中，作为金属布线层的绝缘保护层，成膜厚度4~6μm。优异的耐温性

能可适配存储芯片的高温回流焊工况，避免膜层出现分层鼓泡，帮助车规级存储芯片顺利通过AEC-Q100可靠性认证，广泛应用

于车载中控、自动驾驶等场景。

先进封装与晶圆级加工领域
200mm逻辑芯片晶圆级临时键合支撑层：在超薄晶圆减薄制程中，作为临时键合的辅助绝缘层，成膜厚度8~12μm。高耐热特

性可耐受晶圆减薄后的300℃以上高温后制程，不会出现膜层分解或脱粘，有效避免50μm以下超薄晶圆在制程中发生碎裂，大

幅提升200mm晶圆级封装的生产良率。
Fan-Out封装多芯片互连绝缘层：在多芯片Fan-Out封装中，作为不同裸片之间的台阶填平绝缘层，成膜厚度10~15μm。宽厚度

覆盖能力可一次性填平多芯片之间的大高度差，无需多次重复涂布，大幅简化Fan-Out封装的制程步骤，降低先进封装的制造成

本。

MEMS与传感器领域
工业级MEMS加速度计结构支撑层：在汽车安全气囊用MEMS加速度传感器中，作为微机械结构的绝缘支撑层，成膜厚度5~8μm

。高附着力特性可保证MEMS微悬臂梁结构在长期高振动工况下不脱落，大幅提升汽车安全气囊传感器的触发可靠性，是车规级

MEMS传感器的经典选择。
MEMS压力传感器介质隔离层：在工业级高精度压力传感器中，作为敏感芯片与金属外壳之间的绝缘隔离层，成膜厚度6~10μm

。优异的绝缘性能可避免传感器信号出现漏电漂移，长期在高温高压工况下仍能保持测量精度稳定，广泛应用于工业过程控制、

油气勘探等 场景。

特种工业与航天电子领域
高可靠航天级混合集成电路绝缘层：在航天级混合集成电路中，作为多芯片组件的多层互连绝缘介质，成膜厚度3~10μm。极

低的放气特性完全符合NASA ASTM E595航天材料标准，不会在真空环境下释放污染性气体，可用于卫星、火箭等航天电子设

备的高可靠封装场景。
工业级大功率晶闸管钝化保护层：在高压大功率晶闸管器件表面，作为台面结构的绝缘钝化层，成膜厚度10~15μm。高绝缘特

性可有效提升高压晶闸管的表面击穿电压，避免器件在高压工况下出现表面爬电，广泛应用于高压直流输电、轨道交通牵引等

大功率电力电子场景。