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HD MicroSystems HD4104 负性光刻聚酰亚胺
起订量 (千克)价格
1-5¥8800 /千克
≥5¥8750 /千克
  • 英文名称:PI
  • 品牌:HD MicroSystems
  • 型号:2KG/瓶
  • 货号:1813
  • 发布日期: 2026-09-18
  • 更新日期: 2026-10-22
产品详请
品牌 HD MicroSystems
货号 1813
用途 工业应用
牌号 HD4104
型号 HD4104
品名 PI
包装规格 2KG/瓶
外形尺寸 无
厂家 塞拉尼斯
是否进口 是
HD MicroSystems HD4104是一款低粘度溶剂显影型负性光刻聚酰亚胺前驱体,属于HD4100系列的细分型号,核心定位是薄胶层高精度半导体绝缘介质,和同系列HD4100、HD4110共享完全一致的固化后机械与热性能体系。

核心性能参数
基础工艺属性:粘度为17 St,固含量31%,标准成膜厚度区间3~8μm,固化温度为375℃,曝光感光速度300 mj/cm²,采用环戊酮作为显影溶剂,完全不含NMP。
固化后核心性能:玻璃化转变温度Tg达330℃,1%热失重温度Td为430℃,热膨胀系数CTE为35 ppm/℃;拉伸强度200 MPa,断裂伸长率45%,弹性模量3.3 GPa,介电损耗极低。
成膜特性:低粘度配方带来 的涂布流平性,在晶圆表面可形成厚度均匀性偏差小于±2%的超薄PI膜,完全避免厚胶常见的边缘厚边、针孔缺陷。


产品核心定位

作为HD4100系列的低粘度薄胶版本,它和同系列另外两款产品形成明确的厚度梯度分工:
HD4100:粘度31 St,覆盖4~12μm常规厚度场景
HD4104:粘度17 St,主打3~8μm超薄高精度场景
HD4110:粘度75 St,覆盖8~20μm厚胶场景



典型应用场景

先进逻辑芯片的最终钝化层:3~5μm的超薄成膜厚度,可在7nm及以下先进制程芯片表面形成高均匀性的绝缘保护层,完全不影响后续金属沉积制程的图形精度。
高密度Fan-Out封装再布线层:适配2μm级精细线路的制备需求,低粘度特性可 填充高密度铜布线之间的微小间隙,无气泡残留,大幅降低线路短路风险。
MEMS微纳器件的精细图形加工:凭借低粘度带来的高分辨率,可直接制备出3μm级的高精度微纳绝缘结构,无需额外辅助光刻胶,大幅简化MEMS器件的制程步骤。
柔性电子超薄功能层:在柔性OLED显示的薄膜封装层中,作为超薄应力缓冲层,在保持高绝缘性的同时, 程度降低膜层整体厚度,适配柔性器件的轻薄化需求。


供应链与行业定位

该材料是HD MicroSystems的工业级标准量产材料,国内半导体产线已有规模化采购记录,常规包装为1.0kg/PE瓶,是薄胶层高精度PI场景的主流成熟选择。


HD4104的核心应用集中在半导体先进封装的超薄高精度场景,是HD4100系列中专门针对3~8μm薄胶层需求开发的细分型号,在多个高精密微纳加工领域有规模化落地。

核心主流应用
先进逻辑芯片超薄应力缓冲层:适配7nm及以下先进制程芯片,3~5μm的超薄成膜厚度可精准填平晶圆表面的微小台阶,同时不影响后续金属沉积制程的图形精度,保护底层布线和无机绝缘层免受安装应力与温度循环冲击,大幅提升器件长期可靠性。
高密度Fan-Out封装再布线层:低粘度特性带来 的涂布流平性,可 填充高密度铜布线之间的微米级间隙,无气泡残留,图形分辨率可达2μm以下,大幅降低线路短路风险,是智能手机、可穿戴设备等高密度封装的主流选择。
晶圆级封装超薄绝缘介质:在300mm大尺寸晶圆的SiP系统级封装制程中,可形成厚度均匀性偏差小于±2%的超薄PI膜,完全避免厚胶常见的边缘厚边、针孔缺陷,适配多层互连结构的高精度加工需求。

延伸细分应用
MEMS微纳器件精细图形加工:凭借低粘度带来的超高分辨率,可直接制备出3μm级的高精度微纳绝缘结构,无需额外辅助光刻胶,大幅简化MEMS传感器、微执行器的制程步骤。
柔性OLED显示超薄平坦化层:在折叠屏的TFT阵列上方作为超薄平坦化层,表面粗糙度Ra<0.5nm,可 填平底层电路的台阶差,为有机发光层提供超平整基底,同时 程度降低膜层整体厚度,适配柔性器件的轻薄化需求。
工业级功率半导体薄胶钝化层:在IGBT、MOSFET等大功率器件的表面形成超薄高绝缘保护层,固化后可长期耐受200~350℃的高温环境,对Si、SiO₂、Cu等基底附着力优异,经过500小时PCT加速老化测试后无分层现象。

除了之前提到的半导体、柔性电子等核心场景,HD4104在以下前沿细分领域也有规模化落地应用:

纳米制造与前沿科研领域
电子束光刻纳米图形加工:作为适配电子束曝光系统的专用光刻型PI材料,可实现20nm级的超高分辨率图形成形,图形边缘锐利无畸变,是量子器件、单光子器件等前沿科研场景的核心加工介质,在国内多家 高校和科研院所的微纳实验室中广泛使用。
纳米传感器功能层制备:凭借优异的耐蚀刻性能,在后续金属沉积、干法刻蚀步骤中图形不易变形,可用于制备MEMS纳米压力传感器、生物微流控芯片的高精度绝缘微结构,大幅提升传感器的检测精度。

特种光电器件领域
红外光学器件的超薄支撑层:固化后在红外波段透过率高,3~5μm的超薄成膜厚度不会明显衰减红外信号,可作为红外探测器、微光夜视器件的微结构支撑绝缘层,适配特种光电器件的高精度加工需求。
微纳光学元件的母版制备:利用其高分辨率特性,直接通过曝光制备出亚微米级的衍射光学微结构,无需额外二次转印,大幅简化微纳光学元件的制备流程。

特种工业场景
高温传感器的绝缘保护层:固化后可长期耐受300℃以上的高温环境,在工业级高温压力传感器、燃气轮机监测传感器表面形成超薄高绝缘保护层,同时不影响传感器的信号响应速度。
高密度PCB的超薄精细线路绝缘层:在高端HDI印制电路板的多层互连结构中,作为超薄绝缘介质,可支撑2μm级的超精细线路制备,大幅提升PCB的布线密度,适配高端服务器主板的高密度互连需求。

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