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- 起订量 (千克)价格
- 1-5¥8800 /千克
- ≥5¥8750 /千克
- 英文名称:PI
- 品牌:HD MicroSystems
- 型号:2KG/瓶
- 货号:1810
- 发布日期: 2026-09-18
- 更新日期: 2026-10-22
| 品牌 | HD MicroSystems |
| 货号 | 1810 |
| 用途 | 工业应用 |
| 牌号 | PI2545 |
| 型号 | PI2545 |
| 品名 | PI |
| 包装规格 | 2KG/瓶 |
| 外形尺寸 | 无 |
| 厂家 | 日立化成 |
| 是否进口 | 是 |
核心产品特性
超高温耐热性:固化后薄膜可耐受400℃以上的长期高温环境,玻璃化转变温度(Tg)达到400℃,完全适配各类需要350℃以上高温工序的半导体加工场景,不会出现薄膜分解、黄变、性能衰减问题。
超低热膨胀系数(CTE):标准条件下CTE仅为13ppm/℃,远低于常规通用型聚酰亚胺,与硅片、金属薄膜等无机基底的热膨胀匹配度极高,从根源上抑制高温工艺下的晶圆翘曲、界面分层问题。
湿法刻蚀工艺兼容:虽然本身不具备光敏性,但可搭配正性光刻胶,通过碱性TMAH水溶液完成湿法显影图形化,无需复杂的干法刻蚀设备,即可实现精细图案加工,大幅降低产线工艺成本。
长期热稳定性优异:作为微电子领域长期验证的经典涂层材料,经过400℃高温长时间烘烤后,薄膜的力学性能、绝缘性能无明显衰减,完全满足高可靠性半导体器件的长期工作要求。

核心工艺参数
项目 详细参数产品类型 非光敏高耐热聚酰亚胺前驱体
固化后耐热温度 ≥400℃
玻璃化转变温度(Tg) 400℃
热膨胀系数(CTE) 13ppm/℃
图形化方式 正性光刻胶+TMAH水溶液湿法刻蚀
核心定位 微电子高耐热绝缘涂层材料
核心应用场景
功率半导体高温工艺绝缘层:在SiC、IGBT等功率器件的高温金属化、退火工序中作为绝缘保护层,耐受400℃级高温工艺,不会出现绝缘失效问题。MEMS高温传感器基底:在高温压力传感器、高温气体传感器中作为柔性绝缘基底,适配200℃以上的长期高温工作环境,保障传感器的信号稳定性。
晶圆级封装高温钝化层:作为半导体芯片的最终钝化保护层,耐受后续焊球回流、高温封装工序,保护芯片内部精密电路不受外界环境侵蚀。
高温微电子器件层间介质:在需要长期工作在300℃以上 环境的特种微电子器件中,作为层间绝缘介质,保障器件的长期工作可靠性。
PI2545作为400℃级高耐热非光敏聚酰亚胺,核心聚焦半导体高温工艺场景,同时覆盖航空航天、特种 环境等对耐热性有 要求的领域,是 工况下的高可靠性绝缘介质方案。
核心半导体微电子领域
功率半导体高温工艺绝缘层:在SiC、IGBT等功率器件的350℃以上高温金属化、退火工序中作为绝缘保护层,耐受超高温工艺,不会出现薄膜分解、绝缘失效问题,保障功率器件的长期工作可靠性。
MEMS高温传感器基底:在高温压力传感器、高温气体传感器中作为柔性绝缘基底,适配200℃以上的长期高温工作环境,保障传感器在工业高温场景下的信号稳定性。
晶圆级封装高温钝化层:作为半导体芯片的最终钝化保护层,耐受后续焊球回流、高温封装工序,保护芯片内部精密电路不受外界环境侵蚀,大幅提升芯片的长期使用寿命。
高温微电子器件层间介质:在需要长期工作在300℃以上 环境的特种微电子器件中,作为层间绝缘介质,依托13ppm/℃的超低热膨胀系数,避免高温下晶圆翘曲、线路分层问题。
航空航天与 环境领域
航空航天高温器件绝缘涂层:在航空发动机机载传感器、航天飞行器高温电子部件中作为绝缘防护层,耐受太空 温差与强辐射环境,保障特种电子器件在-269℃~400℃超宽温域下的稳定工作。
核工业耐辐射绝缘材料:依托聚酰亚胺优异的耐辐射性能,在核工业测控电子器件中作为绝缘层,耐受强辐射环境长期照射,不会出现材料降解、绝缘性能衰减问题。
高端精密制造领域
耐高温精密模具涂层:作为精密高温模具的表面绝缘防护涂层,提升模具的耐高温磨损性能,延长模具在高温注塑、热压工艺中的使用寿命。
特种高温轴承绝缘层:在耐高温自润滑轴承、压缩机活塞环等部件中作为绝缘涂层,兼顾高耐热性与绝缘性能,适配工业 工况的使用需求。
PI2545在半导体领域的应用完全围绕其400℃级超耐热、13ppm/℃超低CTE的核心特性展开,是高温工艺场景下替代常规聚酰亚胺的高可靠性绝缘介质,覆盖从先进逻辑芯片到工业功率器件的全品类半导体场景。
1. 半导体封装应力缓冲层
这是PI2545最核心的量产应用场景,作为厚度3~10μm的应力缓冲绝缘膜,覆盖从先进节点器件到工业高功率器件的各类封装场景。依托低模量特性,它能有效吸收芯片安装工序、温度循环过程中产生的机械应力,保护内部精细金属线路与无机绝缘层免受应力损伤,从根源上避免封装分层、线路开裂问题,大幅提升器件长期可靠性。




2. 功率半导体高温工艺绝缘层
在SiC、IGBT等工业级功率器件的350℃以上高温金属化、退火工序中作为绝缘保护层。它400℃的超高玻璃化转变温度,完全耐受功率器件制造过程中的 高温工序,不会出现薄膜分解、绝缘性能骤降问题,保障高压功率器件的长期绝缘稳定性,适配新能源汽车、工业变频等高可靠性场景的功率芯片制造需求。
3. 先进节点芯片最终钝化层
作为7nm及以下先进逻辑芯片的最终钝化保护层,依托极低的热膨胀系数(13ppm/℃),与硅基底、铜布线的热膨胀匹配度极高, 抑制高温工艺下的晶圆翘曲问题。同时其极低的高温释气特性,不会在真空封装场景中诱发漏电流或电弧问题,保障高端芯片在长期服役过程中的绝缘可靠性。
4. MEMS高温传感器晶圆级绝缘层
在工业级MEMS高温压力传感器、高温气体传感器的晶圆级封装中作为层间绝缘基底。它可长期耐受200℃以上的连续工作温度,完全适配油田测井仪器、航空机载高温传感器的 工况,避免常规有机绝缘材料在高温下的性能衰减,保障MEMS传感器在 环境下的信号测量精度。
5. 多芯片组件(MCM)高真空封装绝缘垫片
在高真空多芯片模块封装中作为精密绝缘垫片,其极低的总质量损失(TML)和可凝挥发物(CVCM)指标完全符合NASA ASTM E595航天级释气标准,不会在高真空环境下析出低分子污染物,避免精密电路出现信号串扰、触点污染问题,适配卫星、航天飞行器的高可靠性微电子封装场景。
6. 晶圆级封装高温再布线层介质
在需要350℃以上高温金属化工序的特殊晶圆级封装场景中,作为再布线层的层间绝缘介质。它兼容标准半导体光刻+TMAH湿法刻蚀工艺,无需复杂的干法刻蚀设备即可实现微米级精细图形化,在保障高分辨率布线能力的同时,耐受后续高温金属沉积工序,不会出现图形变形、绝缘失效问题。






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