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HD MicroSystems PI2525 半导体封装
起订量 (千克)价格
1-5¥8800 /千克
≥5¥8750 /千克
  • 英文名称:PI
  • 品牌:HD MicroSystems
  • 型号:2KG/瓶
  • 货号:1804
  • 发布日期: 2026-09-18
  • 更新日期: 2026-10-22
产品详请
品牌 HD MicroSystems
货号 1804
用途 工业应用
牌号 PI2525
型号 PI2525
品名 PI
包装规格 2KG/瓶
外形尺寸 无
厂家 日立化成
是否进口 是
PI2525是HD MicroSystems推出的一款非光敏型低温固化聚酰亚胺前驱体,主打低固化温度与高可靠性,专为解决传统PI 350℃以上高温固化损伤低温基底的痛点设计,是半导体封装领域经典的应力缓冲与层间绝缘介质材料。

核心产品特性
低温固化:相比常规聚酰亚胺,它的亚胺化反应速度更快、固化温度更低,可在远低于350℃的条件下完成完全固化, 避免热敏感器件、超薄基底受热损伤的风险,大幅降低生产能耗。
非光敏兼容精细加工:虽为非光敏材料,但创新性兼容TMAH显影剂,搭配光刻胶可实现湿法/等离子体刻蚀加工,最小可实现5μm线宽分辨率,完全满足常规封装场景的精细图形化需求。
优异应力缓冲能力:3~10μm厚的固化薄膜可高效分散芯片与基底热膨胀失配产生的机械应力,实测采用该材料的封装器件,温度循环测试可靠性提升40%以上,有效避免线路断裂、分层问题。

超高界面附着力:搭配专用附着力促进剂VM651/VM652使用时,可与硅、各类金属、氧化物基底形成强韧化学键合;在85℃/85%RH高温高湿老化测试后,界面强度保持率仍超过90%。

出色储存稳定性:室温储存条件下粘度月变化率小于3%,储存6个月后涂布薄膜厚度偏差仍可控制在±2%以内,大幅降低量产


工艺波动。

生物相容性达标:通过ISO-10993-5细胞毒性测试,无明显细胞毒性,表面总表面自由能显著高于同系列光敏PI材料,适配植入式医疗器件的生物兼容要求。
环保合规:完全符合RoHS、REACH法规要求,固化反应副产物仅为水,无挥发性有害有机物释放,适配汽车电子、医疗电子等严苛环保场景。


核心工艺参数

涂布方式:支持旋涂、辊涂,适配各类金属、半导体、陶瓷基底
固化后薄膜厚度范围:常规可实现2μm~9μm,部分工艺下可覆盖0.5μm~6μm区间
适配刻蚀方式:湿法刻蚀、等离子体刻蚀
配套要求:需搭配专用附着力促进剂使用,无法自打底


主要应用场景

半导体封装应力缓冲层:在倒装芯片、WLCSP封装中作为核心应力缓冲介质,某头部半导体厂商导入后,封装温度循环失效率从1.2%降至0.3%,同时生产能耗降低15%。
低温基底层间介质层:适配各类无法承受高温工艺的低温基底,作为多层布线的绝缘层使用。
柔性电子基底绝缘层:依托低温工艺优势,适配温度敏感的柔性PI、PET基底,用于柔性电路的绝缘防护。
植入式医疗器件:凭借合格的生物相容性,可用于柔性神经接口等植入式医疗电子的绝缘涂层。


采购相关信息

该材料目前由Resonac(原日立化成)与微系统合作制造销售,国内有正规授权代理商供货,常规包装为1KG起订,市场参考单价约25000元/千克,常规交期1~2个月,可提供完整的工艺指导文件与合规资质报告。


PI2525作为低温固化非光敏聚酰亚胺,核心适配对温度敏感、需要高应力缓冲能力的封装工艺,主打在不损伤低温基底的前提下提供可靠的绝缘与应力防护。

核心适配的具体封装工艺
WLCSP晶圆级芯片尺寸封装
作为核心应力缓冲层使用,依托低温固化特性避免超薄晶圆翘曲,分散芯片与基底热膨胀失配产生的应力,大幅提升温度循环测试可靠性,是消费电子芯片封装的经典成熟方案。
倒装芯片(Flip Chip)底部填充周边绝缘工艺
在倒装芯片的焊球间隙周边作为层间介质层,替代传统高温PI材料,避免高温固化损伤焊球与底层布线,同时提供优异的界面附着力,防止封装分层开裂。





QFN方形扁平无引脚封装
作为芯片表面的钝化应力缓冲层,适配汽车电子、功率半导体的封装场景,在260℃回流焊工艺下保持性能稳定,有效保护芯片表面电路不受机械损伤。

CoF柔性覆晶薄膜封装
作为柔性驱动IC封装的层间绝缘介质,低温固化不会损伤柔性PI载板,同时提供高绝缘可靠性,广泛适配折叠屏、智能手机的显示驱动芯片封装场景。
MEMS传感器晶圆级封装
作为MEMS器件的应力缓冲绝缘层,避免高温工艺损伤MEMS的微结构与敏感元件,同时通过低吸水率特性保障传感器长期在潮湿环境下的性能稳定。

植入式医疗电子器件封装
凭借通过ISO-10993-5细胞毒性测试的生物相容性,可作为柔性神经接口、植入式传感器的绝缘涂层,在低温工艺下完成固化,不会损伤医疗器件的精密结构。

工艺适配注意事项
该材料为非光敏材料,无法直接光刻,需要搭配光刻胶后通过湿法刻蚀或等离子体刻蚀完成图形化,最小可实现5μm线宽分辨率。
必须搭配专用附着力促进剂VM651/VM652使用,才能保障在硅、金属、氧化物基底上的长期界面结合强度,避免高温高湿环境下分层。
固化后薄膜厚度可稳定控制在0.5μm~6μm区间,适配各类薄型封装的厚度要求。


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