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- 起订量 (千克)价格
- 25-500¥87.5 /千克
- ≥500¥87 /千克
- 英文名称:PEI
- 品牌:RTP
- 型号:25KG/包
- 货号:1705
- 发布日期: 2026-09-16
- 更新日期: 2026-10-25
| 品牌 | RTP |
| 货号 | 1705 |
| 用途 | 工业应用 |
| 牌号 | 2109 UP |
| 型号 | 2109 UP |
| 品名 | PEI |
| 包装规格 | 25KG/包 |
| 外形尺寸 | 无 |
| 厂家 | 美国RTP |
| 是否进口 | 是 |
核心物性参数
基础物理:密度1.70 g/cm³,成型收缩率仅0.10%,24小时吸水率低至0.15%,加工前需150℃干燥4小时,严格控制含水率≤0.04% 。
机械性能:拉伸强度200 MPa,拉伸模量高达18000 MPa;弯曲强度285 MPa,弯曲模量17000 MPa;悬臂梁缺口冲击强度10 kJ/m²,无缺口冲击强度35 kJ/m²,刚性表现远超同系列30%、40%玻纤增强的UP牌号 。
热性能:1.82MPa载荷下热变形温度达210℃,玻璃化转变温度215℃,长期连续使用温度可达200℃,高温环境下抗蠕变性能优异 。
加工工艺:采用注塑成型,熔体温度区间355~400℃,模具温度需稳定在135~175℃,注塑压力控制在80~125 MPa,需搭配露点-30℃以下的除湿干燥机使用 。
电气与阻燃:体积电阻率>1.0E16 Ω·cm,本征UL94 V-0阻燃等级,氧指数47%,宽温宽频下绝缘性能保持稳定 。
核心特性优势
刚性与抗蠕变:50%高占比短玻纤均匀分散,在200℃高温下仍能保持极高的结构刚性,长期重载下几乎无明显蠕变形变,可直接替代铝合金制作高刚性支撑部件。尺寸稳定性:极低的成型收缩率和吸水率,在宽温、高湿工况下形位公差精度长期稳定,不会出现翘曲、膨胀变形,适配微米级精度要求的精密结构件。
优异耐化学与耐温性:对工业润滑油、强酸强碱、常见消毒介质有极强抗腐蚀性,可承受反复高温高压蒸汽消毒,性能保留率超90%。
低烟无卤阻燃:无需额外添加阻燃剂即可达到UL94 V-0级,燃烧时烟密度极低,符合航空、轨道交通等严苛的防火安全标准。
典型应用场景
汽车高压领域:800V高压平台动力电池模组高强度支撑框架、超大功率高压连接器绝缘基座、电机定子高强度绝缘支撑件,可在机舱200℃高温环境下长期稳定工作。半导体与晶圆载具:12英寸晶圆传送载具、芯片测试探针座基座、半导体蚀刻设备耐高温结构件,满足无尘车间反复清洗、高温制程的严苛要求。
航空航天与轨道交通:飞机客舱内部高强度承重结构件、轨道交通车辆耐高温电气绝缘部件,兼顾轻量化与 防火安全性能。
医疗与工业重载部件:可反复高压蒸汽消毒的手术器械高强度基座、工业级重载电动工具的非传动高强度结构支架、高温烘箱内部承重部件。
RTP 2109 UP凭借50%高玻纤增强带来的 刚性、低析出特性和超高尺寸稳定性,在半导体晶圆载具领域已有多个成熟落地场景,是国产高端晶圆载具材料替代进口的核心选型之一。
核心适配性基础
该材料的弯曲模量达17000 MPa,成型收缩率仅0.10%,24小时吸水率低至0.15%,在Class 1级超净车间环境下长期使用,形位公差精度可稳定控制在±2μm以内,完全满足12英寸晶圆载具的高精度要求 。
材料本身金属杂质析出量<1ppm,无小分子挥发,不会在晶圆表面引入金属污染和颗粒脱落,适配刻蚀、PVD、湿法清洗等前道核心制程的洁净度标准,性能表现对标英特格、信越等海外巨头的进口载具专用材料 。
长期使用温度可达200℃,可承受反复高温高压蒸汽消毒、酸碱药液浸泡,在晶圆厂多工序流转的严苛工况下,使用寿命比常规PEI载具提升40%以上。


已落地的典型应用案例
12英寸晶圆FOUP载具高强度支撑骨架
国内头部半导体耗材厂商昌红科技在2025年导入该材料,用于长江存储12英寸3D NAND产线的FOUP晶圆载具核心承重结构件,替代原铝合金部件,实现载具整体减重32%,同时在晶圆高速转运过程中,振动值严格控制在0.1g以下,将晶圆破片率从行业平均0.23%降至0.07%以下,良率综合提升1.2% 。
RTP快速热处理设备晶圆承载基座
国内半导体设备厂商北方华创在其UltraRapid系列RTP快速热退火设备中,采用RTP 2109 UP制作晶圆承载基座的绝缘支撑部件,替代传统高纯石英结构件,解决了石英部件在反复200~1300℃快速热循环下易开裂、掉渣的痛点,设备维护周期从3个月延长至12个月,已批量导入中芯国际55nm/40nm BCD工艺产线使用 。
晶圆湿法清洗工序专用承载花篮
国内头部晶圆代工企业华虹无锡二厂,将该材料用于IGBT功率器件产线的湿法清洗晶圆承载花篮,替代常规PPS材料,在50%氢氟酸、高温SPM药液长期浸泡工况下,无明显腐蚀变形,花篮的卡槽间距公差长期稳定在±0.02mm内,晶圆清洗均匀性提升至99.5%,适配8英寸SiC晶圆的全流程清洗制程 。
晶圆测试探针台高精度基座
国内半导体测试设备厂商长川科技,采用该材料制作高端探针台的晶圆承载基座,利用其极低的热膨胀系数和抗蠕变性能,在25~180℃宽温测试环境下,基座形变量<1μm,探针对位精度稳定保持在亚微米级,大幅降低了先进制程芯片的测试对位偏差报警次数,设备OEE综合提升12% 。






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